DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c02710
通過振動樣品磁力計分析和磁電測量分別研究了極化和未極化P（VDF-HFP）/CoFe2O4納米纖維復合膜的間接和直接磁電（ME）耦合。在磁場作用下，介電常數、介電損耗、電容、阻抗等電序參數發生了變化。此外，還計算了具有不同CoFe2O4納米纖維負載量的復合膜的磁介電常數、磁損耗、磁電容和磁阻抗的百分比。利用朗道自由能理論研究了復合膜中ME耦合的性質，結果表明，在所有非極化和極化膜中都存在雙二次（P2M2）耦合。此外，研究了復合膜的高階ME耦合系數，發現對于5wt％P（VDF-HFP）/CoFe2O4納米纖維的非極化和極化膜，其最大值分別為1.74×10-4和2.24×10-4。制備的具有強ME耦合的薄膜可應用于可調濾波器、磁傳感器和換能器等設備。
圖1.（a） 極化和非極化PCNF 5、PCNF 10和PCNF 20膜的M-H回路以及（b）在低磁場范圍內的M-H圖。
圖2.（a）介電常數、（b）電容、（c）介電損耗和（d）阻抗與頻率的關系圖。
圖3.（a）MD％、（b）MC％、（c）MZ％和（d）ML％與薄膜磁場的關系圖。
圖4.復合膜的（a）dM/dH、（b）-M（dM/dH）和（c）dC-1/dH隨磁場的變化。
圖5.（a）非極化和（b）極化PCNF 5、PCNF 10和PCNF 20膜的((ε(H)-ε(0))/(0))與(M)2的關系圖。
