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    表面雕刻納米級凹槽的電紡超細纖維用于促進神經突起生長和雪旺氏細胞遷移

    2020-03-20   易絲幫

    DOI:10.1002/ange.202002593

    本文報道了一種基于同軸靜電紡絲的簡單方法,用于制備刻有納米級凹槽的定向微纖維,以促進神經突起生長和細胞遷移。該方法的成功依賴于聚己內酯(PCL)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)在2,2,2-三氟乙烷(TFE)中的不混溶性,從而在PCL射流表面形成PVP/TFE囊。空穴隨著射流被拉伸和拉長,最終在去除PVP后形成納米級凹槽。納米級凹槽的存在極大地促進了PC12細胞和雞胚背根神經節(DRG)體突起的生長和雪旺細胞的遷移。通過優化凹槽的尺寸,可以最大限度地增強這些功能,以便在涉及神經突延伸和傷口閉合的應用中發揮潛在的作用。

     

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    圖1.單軸排列的PCL超細纖維(A)的SEM圖像,其被光滑的表面覆蓋,并分別裝飾有納米級(B-E)凹槽和(F)孔隙。凹槽或孔隙是通過從以PCL/TFE為內部流體的同軸電紡絲制備的微纖維中去除PVP而形成的,而外部流體包含質量比為(B和C)1:2、(D和E)1:1、和(F)2:1的PCL和PVP。在靜電紡絲過程中,內部流體的流速固定為1.0 mL/h,而外部流體的流速為(B和D)1.0或(C,E和F)1.5 mL/h。白色箭頭指示纖維對齊的方向。比例尺=1 μm,適用于所有圖像。


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    圖2.(A-F)熒光顯微照片顯示了在單軸排列的PCL超細纖維(A)上培養后,神經突從PC12細胞延伸出來,所述PCL超細纖維(A)覆蓋有光滑表面,并分別裝飾有納米級(B-E)凹槽和(F)孔。請注意,A至F組中使用的微纖維對應于圖1中所示的相同批次。(G)在不同類型的微纖維上培養后,從PC12細胞延伸出的神經突的平均長度和最長長度。與在所有其他組上培養的細胞的平均長度相比,或與在除E組之外的所有其他組上培養的細胞(**P<0.01)的最長長度相比,***P<0.001。與在光滑表面覆蓋的PCL超細纖維上培養的細胞相比,###P<0.001和#P<0.05。(H)在不同類型的微纖維上培養3天后PC12細胞的生存力。與對照組(載玻片)上培養的細胞相比,*P<0.05。


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    圖3.熒光顯微照片顯示了當在單軸排列的PCL微纖維(A)上覆蓋平滑表面并分別裝飾有納米級(B-E)凹槽和(F)孔時,從DRG體延伸出的典型神經突場。神經突用Tuj1一抗(綠色)染色,細胞核用4',6聯脒-2苯基吲哚(藍色)染色。請注意,A至F組中使用的微纖維對應于圖1中所示的相同批次。


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    圖4.在不同類型的微纖維上培養6天后,從DRG體延伸出的神經突的平均長度和最長長度。A至F組與圖3相對應。與所有其他組相比,***P<0.001。與光滑表面覆蓋的PCL超細纖維相比,###P<0.001和#P<0.05(A組)。


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    圖5.(A)在不同遷移區內的雪旺細胞數量,(B)在不同樣品上的雪旺細胞遷移距離。A至F組與圖S8相對應。與在光滑表面覆蓋的PCL微纖維上培養的細胞(A組)相比,***P<0.001,#P<0.01和*P<0.05。


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