DOI: 10.1039/c9qm00296k
在過去的幾年中,金屬有機框架(MOFs)及其衍生物在能量轉換和存儲領域中已成為很有前途的電極材料。在此基礎上,在預氧化電紡聚丙烯腈(PAN)納米纖維上,通過碳化和硫化工藝,制備了基于MOFs的模板生長的Ni/Ni3S2修飾碳納米纖維(CNFs)。Ni和CNFs的形成提供了高電導率,而分層結構有助于暴露大量的氧化還原活性位點。因此,優化的分層Ni / Ni3S2 / CNFs作為超級電容器電極具有很高的電化學性能,在0.2 A g -1的條件下具有830.0 F g -1的比電容和理想的速率性能。此外,組裝的固態超級電容器在1800 W kg-1的功率密度下提供31.6 W h kg-1的高能量密度,并且在5000次充放電循環后具有95.7%的良好電容保持率。該策略為有效構建MOF衍生電極材料用于儲能系統奠定了基礎。
圖1(a和b)Ni / CNFs-700和(c和d)Ni / Ni3S2 / CNFs-700的SEM圖。(e–g)HRTEM圖像,(h)EDX光譜,(i)HAADF-STEM,Ni/Ni3S2/CNFs-700的(j)Ni-L,(k)S-K和(L)C-K的EDX元素映射。
圖2(a)Ni / Ni3S2 / CNFs-500,Ni / Ni3S2 / CNFs-700和Ni / Ni3S2 / CNFs-900的XRD圖譜。 (b)XPS全掃描光譜和Ni / Ni3S2 / CNFs-700樣品的(c)Ni 2p峰和(d)S 2p峰的高分辨率光譜。
圖3(a)Ni / Ni3S2 / CNFs-500、Ni / Ni3S2 / CNFs-700、Ni / Ni3S2 / CNFs-900電極和Ni泡沫在5 mV s-1時的CV曲線。(b)Ni / Ni3S2 / CNFs-500、Ni / Ni3S2 / CNFs-700和Ni / Ni3S2 / CNFs-900電極在0.2 A g-1下的GCD曲線。(c)Ni / Ni3S2 / CNFs-700電極在不同掃描速率下的CV曲線,以及(d)Ni / Ni3S2 / CNFs-700電極在不同電流密度下的GCD曲線。(e)在不同電流密度下的比電容和電容保持率,以及(f)Ni / Ni3S2 / CNFs-500,Ni / Ni3S2 / CNFs-700和Ni / Ni3S2 / CNFs-900電極的奈奎斯特圖。
圖4(a)掃描速率為5 mV s-1時的CV曲線,(b)電流密度為0.2 A g-1時的GCD曲線,(c)不同電流密度下的比電容和電容保持率,(d)Ni/Ni3S2/CNFs-700、Ni/CNFs-700、MOF衍生Ni/Ni3S2和非MOF衍生Ni/NiS2/CNFs電極的奈奎斯特圖。
圖5(a)以Ni / Ni3S2 / CNFs-700為正極材料,活性炭為負極材料的不對稱固態超級電容器的結構示意圖。(b)50 mV-1時的CV曲線和(c)在不同電位窗口下2 A g-1的GCD曲線,(d)在不同掃描速率下的CV曲線,以及(e)在ASC器件0-1.8 V電位窗口內不同電流密度下的GCD曲線。
圖6(a)Ragone圖(能量密度與功率密度),(b)組裝后的ASC器件的循環穩定性和庫侖效率。