NiSe因其卓越的理論容量和超長的循環壽命而被認為是一種有效的儲鈉電極材料。盡管如此，較大的體積波動和緩慢的反應動力學導致NiSe表現出較差的倍率性能和循環穩定性。此外，傳統的電極制備技術需要使用導電的粘合劑化學品，從而使得所制備材料的電化學性能較差。為了解決這些問題，通過靜電紡絲Ni-MOF前驅體和隨后的硒化反應成功制備出自支撐NiSe基電極（NiSe@C@NCNFs)，NiSe納米顆粒由MOF衍生的多孔碳原位保護，從而確保鈉儲存的長期循環穩定性。而且，獨特的電極結構設計可以改善負極-電解質界面接觸，縮短鈉離子傳輸路徑，加快反應動力學。相應的動力學分析表明，NiSe@C@NCNFs的鈉化/脫鈉過程可產生主要的表面贗電容貢獻，保證了其卓越的倍率性能。
圖1.（a）硒化前Ni-MOF/PAN的SEM圖像。NiSe@C@NCNFs材料電極：（b-c）頂視和側視SEM圖像，（d-e）TEM和HRTEM圖像，（f）SAED和（g）EDS元素映射。
圖2.（a）NiSe@C@NCNFs的XRD。（b）NiSe@C@NCNFs和NiSe@NCNFs的TGA。（c）NiSe@C@NCNFs和NiSe@NCNFs的BET。（d）NiSe@C@NCNFs和NiSe@NCNFs的BJH孔徑分布。NiSe@C@NCNFs的XPS光譜：（e）Ni2p；（f）Se3d。
圖3.NiSe@C@NCNFs電極：（a）0.2mV/s時的CV曲線。（b）0.1A/g下的線性充放電曲線。NiSe@C@NCNFs和NiSe@NCNFs電極的電化學性質：（c）在0.1A/g下進行第2至第100次循環的循環穩定性。（d）從0.1到2A/g再切換至0.1A/g的倍率性能。（e）NiSe@C@NCNFs在2A/g下的超長循環穩定性。
圖4.NiSe@C@NCNFs材料電極：（a）NiSe@C@NCNFs在不同掃描速率下的CV曲線，（b）不同峰值電流和掃描速率下的b值。（c）0.6mV/s下的CV曲線和贗電容比例。（d）不同掃描速率下電容控制和擴散控制的貢獻比例。
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