西安理工大學趙康Chem. Phys. Lett.：Ni/SiC/C復合納米纖維的合成及其電磁波吸收性能

DOI:10.1016/j.cplett.2020.138230

通過靜電紡絲和濺射法合成了鎳/碳化硅/碳（Ni/SiC/C）復合納米纖維。Ni涂層的引入對SiC/C納米纖維的電磁波吸收性能有著顯著的影響。結果表明，在C波段，其介電常數和磁導率均有明顯提高，并且達到了最佳反射損耗（RL）。吸收劑厚度為5mm的復合納米纖維/石蠟混合物（10wt％）在4.3GHz下的RLmin約為-32.3dB。綜上所述，Ni/SiC/C復合納米纖維是一種高效、輕質的電磁波吸收材料。

圖1.合成Ni/SiC/C復合納米纖維的步驟示意圖。

圖2.（a，b）SiC納米纖維和（c，d）Ni/SiC/C納米纖維的SEM圖像。（e）單根Ni/SiC/C納米纖維截面的SEM圖像以及C、O、Si和Ni的EDS映射圖像。（f）Ni/SiC/C納米纖維的橫截面TEM圖像。

圖3.（a）和（b）Ni/SiC/C復合納米纖維的XPS光譜，（c）XRD圖和（d）磁滯回線。

圖4.SiC/C納米纖維和Ni/SiC/C復合納米纖維的（a-d）μr和εr光譜。（e）和（f）SiC/C納米纖維和Ni/SiC/C復合納米纖維的RL。

圖5.Ni/SiC/C復合納米纖維的介電損耗角正切和磁損耗角正切與頻率的關系。

圖6.Ni/SiC/C納米纖維中電磁波吸收的機理示意圖。