DOI:10.3390/cryst10110986
對Bi2Sr2CaCu2O8+δ（Bi-2212）織物狀納米線網絡或納米纖維氈在3k≤T≤300k的溫度區間內進行了電阻測量。納米線織物是通過靜電紡絲法制備的，由平均直徑為250nm的長（最大100μm）納米線組成。通過電子顯微鏡對納米線網絡纖維墊和單根納米線的微觀結構進行了全面表征，結果表明納米線可以像單個Bi-2212晶粒一樣細。研究發現多晶納米線在原始聚合物納米線的方向上具有紋理外觀。納米纖維墊的整體結構特點是，納米線之間存在眾多互連的部分，從而使電流能夠流過整個樣品。使用Aslamzov-Larkin模型分析了在超導轉變溫度Tc以上的波動誘導電導率（過剩型電導率）。在Bi-2212納米線織物樣品中，可以識別出四種不同的波動機制（短波，二維，三維和臨界波動機制）。本文首次對此類納米線網絡樣品中的這些機制進行了詳細討論。根據上述分析，研究者從電阻數據中確定了幾個超導參量。
圖1.（a）靜電紡絲后的初生（綠色）納米纖維氈，（b）初生Bi-2212納米線的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像，（c）完全反應的Bi-2212納米纖維氈樣品和（d）完全反應的Bi-2212納米線的SEM圖像。
圖2.Bi-2212納米纖維氈樣品的熱處理程序。插入的SEM圖像（放大10,000倍，比例尺為3μm）顯示了在每個溫度步驟中陶瓷納米纖維的形成，這是通過差示掃描量熱法（DSC）/熱重分析（TGA）測定的。在熱處理中納米線的收縮是清晰可見的。
圖3.處理納米纖維氈片的兩種可能性：（a）透射電子顯微鏡（TEM）成像的碳涂覆銅網格上的折斷部分。本部分保持了幾條納米線之間的互連。（b）在硅基板上的單根Bi-2212納米線。納米線粘附在表面上。
圖4.Bi-2212納米線的TEM圖像。（a）顯示了在納米線之間存在許多互連的低倍放大圖像。（b，c）揭示納米線形成的納米線細節。（d）顯示了由單個Bi-2212晶粒形成納米線的情況。
圖5.（a，b）兩個不同區域的高分辨率TEM圖像。條紋指示Cu-O平面的方向。
圖6.單根納米線上的電子背散射衍射（EBSD）分析。這些圖像可以直接與圖4和5所示的TEM圖像進行比較。（a）在70°傾角下的SEM圖像中給出了納米線截面。紅色圓圈內的區域由EBSD分析。（b）顯示了分析區域的圖像質量（IQ）圖，其中檢測到的顆粒標記為黃色。（c）呈現了在（001）方向上的晶體方向圖，也就是說，所給出的方向垂直于樣品表面。因此，方向TD對應于納米線表面。該圖的色標在右側；極點周圍不符合30°的晶粒以白色繪制。（d）顯示了在（001）方向上的反極圖。
圖7.各種外加磁場（0-10T）下，電阻隨溫度的變化。插圖提供了樣品架上納米纖維氈樣品的光學圖像。
圖8.施加零磁場時的電阻數據分析。實驗數據用空心圓圈表示。導數dR/dT在溫度Tc1和Tc2處顯示出兩個轉變峰。數據的線性擬合用于確定α和R0。
圖9.通過波動誘導電導率（FIC）分析繪制了ln（?σ）與ln（e）的關系。可以確定三個主要機制（參見正文），CR、MFR和SWF。MFR機制包括2D-和3D-機制。虛線顯示了交叉溫度TLD和T2D-SWF。該圖進一步指示了電導率指數，另請參見表1。
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