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    湘潭大學劉黎Nanoscale:高性能鋰離子和鈉離子電池In2S3/C納米纖維負極的電化學存儲機理

    2020-09-22   易絲幫

    DOI: 10.1039/D0NR04843G

    在電化學儲能領域,對硫化銦(In2S3)的研究報道甚少,其電化學反應機理尚不清楚。在本工作中,首次采用簡單的靜電紡絲法合成了In2S3/C納米纖維。在鋰離子電池(LIBs)中,In2S3/C納米纖維電極不僅可以在50 mA g-1下提供696.4 mAh g-1的高初始可逆比容量和超長的循環壽命,而且在1000 mA g-1下循環600次后,其容量保持率為80.5%。在鈉離子電池(SIBs)中,In2S3/C納米纖維電極具有較高的初始可逆比容量(在50 mA g-1下為393.7 mA h g-1)和出色的循環性能,在1000 mA g-1下循環300次后具有97.3%的高容量保持率。優異的電化學性能主要得益于碳基質對In2S3的保護,緩沖了體積膨脹并顯著提高了復合材料的電導率。此外,通過非原位XRD分析了In2S3在第一個鋰化/脫鋰和嵌鈉/脫鈉過程中的結構演變。結果表明,In2S3在LIBs和SIBs中的反應機理可概括為轉化反應和合金化反應,為In2S3在電化學領域的發展提供了理論支持。

     

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    圖1.In2S3/C納米纖維的合成過程。


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    圖2.(a)所制備的In2S3/C納米纖維的XRD圖,(b)拉曼光譜。


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    圖3.(a)所制備的In2S3/C納米纖維的XPS全光譜,(b)In3d光譜,(c)S2p光譜,(d)C1s光譜和(e)N1s光譜,(f)所制備的In2S3/C納米纖維的TG分析。


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    圖4.(a,b)不同放大倍率下In2S3/C納米纖維的FE-SEM圖像,(c)In2S3/C納米纖維的N2吸附-解附等溫線和孔徑分布,(d)In2S3/C納米纖維的TEM圖像,(e)In2S3/C納米纖維的HR-TEM圖像和相應的FFT圖像(插圖),(f)In2S3/C納米纖維的HAADF圖像,(g-j)In2S3/C納米纖維的EDX元素映射圖像。


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    圖5.鋰離子電池中In2S3/C納米纖維負極的電化學性能和非原位XRD圖。(a)掃描速率為0.1 mV s-1時的CV曲線,(b)非原位XRD圖,(c)50-2000 mA g-1時的倍率性能,(d,e)50 mA g-1和1000 mA g-1時的循環性能。


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    圖6.鈉離子電池中In2S3/C納米纖維負極的電化學性能和非原位XRD圖。(a)掃描速率為0.1 mV s-1時的CV曲線,(b)非原位XRD圖,(c)50-2000 mA g-1時的倍率性能,(d,e)50 mA g-1和1000 mA g-1時的循環性能。


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    圖7.在鋰離子電池中進行倍率性能測試后,對In2S3/C納米纖維負極的表征:(a)TEM和(b-e)元素映射圖。在鈉離子電池中進行倍率性能測試后,對In2S3/C納米纖維負極的表征:(f)TEM和(g-j)EDX元素映射圖像。


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