DOI:10.1016/j.jechem.2020.07.016
通過靜電紡絲和退火工藝制備了具有微棒形態和核-殼結構的SnSe納米粒子包埋碳納米纖維（SnSe@C），并將其作為鈉離子電池負極材料進行了研究。得益于這種獨特的結構，SnSe@C在1.0 A g-1的高電流密度下，經過500次循環后仍可提供283.8 mAh g-1的可逆容量。通過異位X射線衍射、高分辨透射電鏡和選區電子衍射等方法進一步表征了SnSe的鈉離子存儲機理。此外，通過贗電容和原位電化學阻抗譜測量研究了電極的優異電化學性能。這項工作為合成具有核-殼結構的金屬硒化物提供一條新途徑，并且為研究動力學過程提供了一個不錯的思路。
圖1.（a）SnSe@C-1和SnSe@C-2的XRD圖譜和（b）TGA曲線；SnSe@C-1和SnSe@C-2的XPS光譜：（c）Sn 3d和（d）Se 3d。
圖2.（a）CNF、（b）SnSe@C-1和（c）SnSe@C-2的SEM圖像；（d，e）SnSe@C-1和（f）SnSe@C-2的TEM圖像；（g）SnSe@C-1和（h）SnSe@C-2的HRTEM圖像，（i）SnSe@C-1的元素映射圖像。
圖3.（a）SnSe@C-1和SnSe@C-2的CV曲線；（b）在電流密度為0.1 A g-1時的恒電流放電/充電曲線；（c）CNF、SnSe@C-1和SnSe@C-2的循環性能和（d）倍率容量；（e）SnSe@C-1和SnSe@C-2的長期循環穩定性。
圖4.與其他報道的鈉離子電池SnSe負極的循環性能比較。
圖5.（a）第一循環中SnSe@C-1的放電/充電曲線和（b）異位XRD圖；（c）放電狀態為0.01 V時SnSe@C-1的HRTEM圖像；（d）充電狀態為3.0 V時SnSe@C-1的HRTEM圖像和（e）相應的SAED模式；（f）SnSe的鈉存儲機制。
圖6.（a）SnSe@C-1和（b）SnSe@C-2在不同掃描速率下的CV曲線；（c）SnSe@C-1和（d）SnSe@C-2三個峰的擬合log（峰值電流）-log（掃描速率）；（e）不同掃描速率下SnSe@C-1和SnSe@C-2的擴散控制和偽電容貢獻；（f）在2.0 mV s-1的掃描速率下SnSe@C-1總電流的偽電容貢獻。
圖7.經過長期循環測試后的原位EIS奈奎斯特圖：（a）SnSe@C-1和（b）SnSe@C-2；（c）不同電壓下SnSe@C-1和SnSe@C-2的Rtot；（d）充電狀態為3.0 V時擬合的SnSe@C-1和SnSe@C-2的奈奎斯特圖。
圖8.SnSe@C-1的Ex-TEM圖像：（a）放電至0.01 V，（b）充電至3.0 V；（c）充電狀態為3.0 V的元素映射圖；（d）100個循環后的SEM圖像。
